msp; 工艺节点的推进是非常复杂的，除了硬件设施，也就是光刻机以及其他各类核心设备的参数要达标外，还需要各类耗材的技术参数也代表，比如光刻胶，特殊气体等等。
然后各类工序也需要设计，达到最理想的情况，提升产能，提升良率。
而这些并不是说有了光刻机就能搞的，还得需要大量的技术工作。
尤其是等效七纳米工艺这种，直接奔着现有光刻机的极限能力去的工艺，搞起来难度非常大的。
毕竟HDUV-600光刻机或者是ASML的NXT1980光刻机，它们只是理论上具备通过四重曝光的方式，来达到等效七纳米工艺的水准。
但是如何达到这个理论设计的极限，还需要晶圆厂付出巨大的努力。
搞工艺，也不是那么简单的事。
要不然的话，ASML的光刻机到处卖，也不会只有台积电和智云微电子直接上马等效七纳米工艺了……技术难度太大，制造出来的芯片成本也非常高，有种得不偿失的感觉。
四星和英特尔这两家，也在搞等效七纳米工艺，但是进度非常缓慢，大概率是要落后智云微电子以及台积电一段时间了。
看过通城基地后，徐申学随后返回了深城，也顺道看了看深城基地里的十纳米工艺的产线。
十纳米工艺产线，其实也是一个过渡工艺节点，目前智云集团里的诸多芯片设计里，只有手机芯片以及AI芯片，包括车规级算力芯片，电脑上的PC芯片才准备采用这个十纳米工艺节点。
其他芯片类型的话，暂时暂时没有这个规划。
因为十纳米工艺虽然是新工艺，做出来的芯片性能也更好，但是成本也更高，芯片的设计费用更高，流片费用也更高，然后制造成本也高，除了一些高端产品用得起外，常规产品根本用不起这种级别的工艺。
同时很多芯片类型其实也不需要十纳米工艺，有个十四纳米工艺（12纳米）也就差不多了，比如一大堆各种智能终端芯片，电脑芯片，中低端手机芯片，网络设备，车规级芯片，工业芯片等等。
至少智云集团内部的很多芯片种类，都是基于14/12纳米工艺节点来设计的
考虑到产能需求的问题，十纳米工艺节点里，智云微电子只规划了五万片的产能，只是用来满足S系列芯片，也就是明年S803芯片的产能需求。
看完智云微电子的情况，徐申学对后续也是有了一些把握。
今年先推出12纳米工艺的芯片，搭载在S16手机上。
明面的S17手机，还有PC产品则是才使用10纳米工艺。
后年的S18手机，则是采用7纳米工艺。
一年一个台阶，持续进步，提升S系列手机的性能，并维持S系列手机的性能优势。
至于大后年的话，估计还是继续使用7纳米工艺……因为智云微电子这边的等效5纳米工艺，至今都还没有什么太好的办法。
现有的HDUV-600浸润式光刻机搞个七纳米就已经到了极限，可搞不了等效五纳米工艺了……这款光刻机，其实用来生产十纳米或十四/十二纳米工艺节点才是最适合的。
而等效五纳米的话，如果使用DUV浸润式光刻机来生产，至少得使用八重曝光，对套刻精度的要求是非常高的，套刻精度最少也得一点五纳米。
而正在研发当中，预计要两年后才能够出货的HDUV-700光刻机，其套刻精度也才两纳米而已，根本达不到技术要求。
至于一点五纳米的套刻精度，有这技术直接搞EUV光刻机就完事了，费那劲搞什么DUV浸润式光刻机啊。
毕竟海湾科技里正在研发当中的第一代EUV光刻机，规划的套刻精度也才两纳米；处于项目早期阶段，不知道什么时候才能完善的第二代EUV光刻机才一点五纳米的套刻精度。
一点五纳米的套刻精度，这还早着呢。
这也意味着，等突破等效七纳米工艺之后，可能好几年里智云微电子都无法进一步往下突破工艺了，只能是搞各种七纳米工艺的改进版。
好几年后的事情，徐申学现在着急也没用，反正智云微电子短时间内搞不了五纳米，台积电，四星，英特尔之流也搞不了……大家一起苦逼。
反正徐申学的态度一向来都是如此：要么大家一起苦哈哈的用DUV浸润式光刻机，然后玩四重曝光的七纳米，甚至继续玩八重曝光的等效五纳米。
要么大家一起用更好的EUV光刻机，玩七纳米乃至五纳米。
反正老子用不了EUV光刻机，你们也不能用EUV光刻机。
想要扔下智云，偷偷抢跑……哪有这么美的事！
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智云微电子这边的情况徐申学大概了解，视察了一群后，徐申学又继续展开他的视察之旅，先后去了安城视察威酷电子的生产基地。
随后又前往川城视察了当地的生产基地。
短短一个月里，徐申学的专机在全国各地到处飞，视察着庞大的智云供应链！
这是全球范围里规模最大，用工数量最多，同时也是产值最大的供应链：汇集了超过两百二十个各类型的生产基地，超过一百五十万人在这个供应链上工作。
同时，这也代表着当下华夏，甚至是全球里技术含量最高的智能手机供应链，其中的每一种零配件产品，都是属于当下最顶级的。
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